激光直接成像设备的研发项目

激光直接成像设备的研发项目

发布方:总站 安徽省
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    面议
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关注 分享 2599次浏览 2017年03月28日 10:15:47

01技术详情

技术背景

该整套技术采用高速高光技术、精密平台技术及深紫外曝光技术。三大技术中分别由倾斜曝光技术、二次成像技术、高速数据实时处理和传输链、平台扫描同步曝光技术、多光头同步技术、图形数据处理技术、精密微环境控制、精密平抬与激光同步扫描技术、高速自动聚焦技术、图形扫描和拼接技术、光学对准技术和图形位置精度。深紫外光学系统、深紫外DMD和深紫外光刻胶工艺技术。

技术介绍

02技术优势

03技术指标

指标名称 数据
资料清晰度 100nm
光源 LD Laser
波长 405nm
最小线宽 Fast模式:1.5μm;Fine模式:1.0μm
线宽一致性 Fast模式:≤150nm;Fine模式:≤60nm
套刻精度 ≤300nm(3σ)
拼接精度 Fast模式:≤150nm;Fine模式:≤100nm
照明不均匀性 ≤±10%,软件补偿后≤±3%
功率密度 ≥200mW/cm2
产能 Fast模式:≤150nm;Fine模式:≤60nm
基底厚度 ≤4.5mm
基底尺寸 2〃、4〃、6〃、8〃或规则形状的基底

04应用场景

应用场景 场景需求
半导体光刻 应用于掩模版制造、晶圆光刻、生物芯片、EMS器件、微光学器件等微纳制造领域
半导体监测 微纳器件制造领域,具备线宽测量、套刻测量、缺陷检测等不同功能。
激光成像曝光 完成硬板、软板、软硬结合板、IC基板内层、外层,和防焊层的曝光应用。

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