氮化镓 项目话题内容:12
版主:管理员 高产能、高效率、自主外延技术,相较于美日氮化镓材料,有着明显的成本优势
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禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度;比如氮化镓禁带宽度很大(3.4eV),即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带,这样就能继续发挥半导体作用,同理因为跃迁能量较大,所以GaN更难被击穿,因此常用作高压耐高温器件,也有很高的抗辐射性能。

 2018-06-28 11:21:49
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