氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列，是研制高效率、高功率微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。作为第三代半导体材料之一，氮化镓的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点。氮化镓所具有的直接带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好、抗辐射能力强等特点和性能，使得它在我们日常生活中的照明(节能灯)、显示(LED显示器)、通信(微波基站)、消费电子(蓝光光驱的光头)等各个领域都有广泛应用。

现在，国内虽然做氮化镓材料的研发机构很多，主要还是集中在6-8英寸硅衬底上氮化镓HEMT材料，包括厦门三安，苏州能讯，江西晶能等，但能做出高质量氮化镓衬底晶片，即便在全球范围内也只有寥寥几家。我国氮化镓晶片及器件的关键技术远落后于发达国家，高端应用产品完全依赖进口，且在尖端技术上受制于人。